دوره 9، شماره 1 - ( 10-1393 )                   جلد 9 شماره 1 صفحات 53-61 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Behjat A, Dehghani M, Tajabadi F, Taghavinia N. Optimization of Annealing Process for Totally Printable High-current Superstrate CuInS2 Thin-Film Solar Cells. IJOP. 2015; 9 (1) :53-61
URL: http://ijop.ir/article-1-195-fa.html
Optimization of Annealing Process for Totally Printable High-current Superstrate CuInS2 Thin-Film Solar Cells. نشریه انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 9 (1) :53-61

URL: http://ijop.ir/article-1-195-fa.html


چکیده:   (1950 مشاهده)
Planar superstrate CuInS2 (CIS) solar cell devices are fabricated using totally solution-processed deposition methods. A titanium dioxide blocking layer and an In2S3 buffer layer are deposited by the spray pyrolysis method. A CIS2 absorber layer is deposited by the spin coating method using CIS ink prepared by a 1-butylamine solvent-based solution at room temperature. To obtain optimum annealing temperature, these layers are first annealed at 150°C and then annealed at 210°C, 250°C and 350°C respectively. The optimum annealing temperature of the layer is found to be 250°C, where 23 mA current density and 505 mV open circuit voltage are measured for the best fabricated solar cell sample.
متن کامل [PDF 655 kb]   (884 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: ۱۳۹۳/۹/۱۶ | ویرایش نهایی: ۱۳۹۴/۳/۱۲ | پذیرش: ۱۳۹۴/۲/۱۳ | انتشار: ۱۳۹۴/۳/۱۲

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
کد امنیتی را در کادر بنویسید

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2015 All Rights Reserved | International Journal of Optics and Photonics

Designed & Developed by : Yektaweb