دوره ۱۱، شماره ۱ - ( ۱۰-۱۳۹۵ )                   جلد ۱۱ شماره ۱ صفحات ۳۸-۲۵ | برگشت به فهرست نسخه ها


XML Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Danesh Kaftroudi Z, Rajaei E. The Electron Stopper Layer Effect on Long-Wavelength VCSEL with AsSb-Based DBR Temperature Distribution. IJOP 2017; 11 (1) :25-38
URL: http://ijop.ir/article-1-268-fa.html
The Electron Stopper Layer Effect on Long-Wavelength VCSEL with AsSb-Based DBR Temperature Distribution. . ۱۳۹۵; ۱۱ (۱) :۲۵-۳۸

URL: http://ijop.ir/article-۱-۲۶۸-fa.html


چکیده:   (۵۹۰۲ مشاهده)

In this study, we have theoretically investigated the effect of electron stopper layer on internal temperature distribution of high performance vertical cavity surface-emitting laser emitting at 1305 nm. Simulation software PICS3D, which self-consistently combines the 3D simulation of carrier transport, self-heating, gain computation and wave-guiding, was used. Simulation results show that change the electron stopper layer properties affect the internal temperature distribution of the device. The temperature of the active region increases compared with the original device. Comparison of temperature distribution in devices with different electron stopper layer confirms that optimized structure operates at maximum temperature.

     
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: 1395/2/16 | ویرایش نهایی: 1395/6/1 | پذیرش: 1395/6/31 | انتشار: 1395/11/9

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2025 CC BY-NC 4.0 | International Journal of Optics and Photonics

Designed & Developed by : Yektaweb