دوره 11، شماره 1 - ( 10-1395 )                   جلد 11 شماره 1 صفحات 25-38 | برگشت به فهرست نسخه ها


XML Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Danesh Kaftroudi Z, Rajaei E. The Electron Stopper Layer Effect on Long-Wavelength VCSEL with AsSb-Based DBR Temperature Distribution. IJOP. 2017; 11 (1) :25-38
URL: http://ijop.ir/article-1-268-fa.html
The Electron Stopper Layer Effect on Long-Wavelength VCSEL with AsSb-Based DBR Temperature Distribution. نشریه انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1395; 11 (1) :25-38

URL: http://ijop.ir/article-1-268-fa.html


چکیده:   (1099 مشاهده)

In this study, we have theoretically investigated the effect of electron stopper layer on internal temperature distribution of high performance vertical cavity surface-emitting laser emitting at 1305 nm. Simulation software PICS3D, which self-consistently combines the 3D simulation of carrier transport, self-heating, gain computation and wave-guiding, was used. Simulation results show that change the electron stopper layer properties affect the internal temperature distribution of the device. The temperature of the active region increases compared with the original device. Comparison of temperature distribution in devices with different electron stopper layer confirms that optimized structure operates at maximum temperature.

متن کامل [PDF 917 kb]   (583 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصي
دریافت: ۱۳۹۵/۲/۱۶ | ویرایش نهایی: ۱۳۹۵/۶/۱ | پذیرش: ۱۳۹۵/۶/۳۱ | انتشار الکترونیک پیش از انتشار نهایی: ۱۳۹۵/۱۱/۹ | انتشار: ۱۳۹۵/۱۱/۹

ارسال نظر درباره این مقاله : نام کاربری یا پست الکترونیک شما:
CAPTCHA code

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به نشریه انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2018 All Rights Reserved | International Journal of Optics and Photonics

Designed & Developed by : Yektaweb